Общие характеристики
Тип памяти - DDR4
Форм-фактор - SODIMM 260-контактный
Тактовая частота - 2133 МГц
Пропускная способность - 19200 Мб/с
Объем - 1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Тайминги
CAS Latency (CL) - 17
RAS to CAS Delay (tRCD) - 17
Row Precharge Delay (tRP) - 17
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания - 1.2 В
Количество ранков - 2