Общие характеристики
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - SODIMM 204-контактный
Тактовая частота - 1600 МГц
Пропускная способность - 12800 Мб/с
Объем - 1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Тайминги
CAS Latency (CL) - 11
RAS to CAS Delay (tRCD) - 11
Row Precharge Delay (tRP) - 11