Общие характеристики
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - SODIMM 204-контактный
Тактовая частота - 1333 МГц
Пропускная способность - 10600 МБ/с
Объем - 1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет
Тайминги
CAS Latency (CL) - 9
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля - 16
Напряжение питания - 1.5 В