Модуль памяти 4Gb DDR3 1600МГц SO-DIMM Samsung M471B5273CH0-CK0

Общие характеристики

Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - SODIMM 204-контактный
Тактовая частота - 1600 МГц
Пропускная способность - 12800 МБ/с
Объем - 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC - нет
Поддержка XMP - нет
Буферизованная (Registered) - нет
Низкопрофильная (Low Profile) - нет

Тайминги

CAS Latency (CL) - 11
RAS to CAS Delay (tRCD) - 11
Row Precharge Delay (tRP) - 11

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля - 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания - 1.35 В
Количество ранков - 2